1. MN NEWS
2. Технологии
3. Micron и SK hynix заявили об окончании тестирования LPDDR5X/T-9600 вместе с Qualcomm

Выглядит интересно, что два гиганта в сфере производства микросхем памяти в один день заявили об окончании тестирования нового типа памяти. Речь идет о компаниях Micron и SK hynix, закончивших тестирование LPDDR5X в случае первой и LPDDR5T в случае второй.

Память LPDDR5X/T может предложить скорость работы 9600 MT/s, то есть она является самой быстрой мобильной памятью, созданной на сегодняшний день. Micron упоминает об использовании технологического процесса 1β при её создании, в то время как SK hynix применила High-K Metal Gate.

Оба производителя провели тестирование нового поколения памяти вместе с Qualcomm при использовании системы на кристалле Snapdragon 8 Gen 3 и, согласно результатам, оно прошло весьма успешно. Если бы что-то пошло не так, то мы бы не увидели сразу два пресс-релиза в один день.

Обе компании будут выпускать LPDDR5X/T объемом до 16 Гбайт, однако про дату их массового распространения они предпочитают ничего не говорить.