1. MN NEWS
2. Технологии
3. Китайский производитель DRAM разрабатывает собственную память типа HBM

Китай продолжает ощущать на себе проблемы из-за наложенных на него санкций, связанных с полупроводниковым сегментом, в связи с чем правительство разрабатывает различные варианты по улучшению сложившейся ситуации и ключевым является импортозамещение, стараясь как можно меньше зависеть от других стран.

В этом направлении Китай очень даже преуспевает, ведь даже в случае ограниченных ресурсов и возможностей у него получается постоянно наращивать производство полупроводников и даже изучать более тонкие технологические нормы. До лидеров рынка далеко, но все же лучше, чем сидеть вообще без ничего.

Очередная новость исходит от South China Morning Post. Источник утверждает, что китайская компания ChangXin Memory Technologies находится в процессе разработки собственной памяти DRAM типа HBM. По сути, её разработка должна быть легче, если сравнивать с GDDR, а также не требуется применение современных технологических норм, вот только существуют проблемы в виде наложения слоев памяти друг на друга, где необходимо применение сложных технологий, и дальнейшей упаковки получившихся стеков.

Судя по всему, компания не против решить их и начать выпуск собственной памяти HBM для китайского сектора, помогая производителям ускорителей нарастить производство, в том числе необходимых для работы с искусственным интеллектом, стремительно набирающим обороты в последнее время.