1. MN NEWS
2. Технологии
3. Samsung выпустит память NAND с более чем 300 слоями на год раньше SK hynix

Производители микросхем NAND решили выяснить, кто из них сможет быстрее остальных выпустить новое поколение памяти, насчитывающее более 300 слоев. На данный момент известно о работе SK hynix и Samsung в этом направлении, причем если у первой уже есть инженерные образцы, хотя массовое производство ожидается в 2025 году, то у второй наличие образцов под вопросом, в то время как массовое производство ожидается в 2024 году.

О планах Samsung относительно нового поколения памяти NAND, насчитывающей более чем 300 слоев, поделился ресурс Seoul Economic Daily, утверждающий, что компания будет использовать два стека для создания памяти, а не три, как это предпочла делать SK hynix, то есть у Samsung каждый стек получит более 150 слоев, что является не самым простым делом в плане производства из-за возрастающего с каждым слоем шанса выхода всей микросхемы из строя.

Если у Samsung действительно получится выпустить новое поколение памяти NAND в следующем году, это позволит ей стать лидером отрасли и обойти конкурента на целый год, зарабатывая на поставках эксклюзивной памяти своим партнерам.