1. MN NEWS
2. Технологии
3. Samsung поделилась подробностями второго поколения 3-нм техпроцесса SF3

Несмотря на то, что Samsung первее TSMC начала массовое производство с применением транзисторов GAAFET (MBCFET), дела у неё с 3-нм технологическим процессом SF3E, который на них основывается, идут не самым лучшим образом. Недавно компания сообщала, что ей удалось увеличить долю выхода годных кристаллов до 70%, что уже является хорошим результатом по сравнению с первоначальными цифрами, но этого все же недостаточно для покрытия массового спроса.

Из-за проблем с 3-нм техпроцессом Samsung потеряла некоторую часть своей клиентской базы, которая успешно перешла под крыло главного конкурента в лице TSMC. Правда, совсем скоро компания обещает исправиться, для чего выпустит второе поколение 3-нм технологической нормы SF3. Новое поколение сможет предложить 22% прирост производительности при неизменном потреблении или 34% снижение потребления при неизменной производительности по сравнению с 4-нм SF4.

Помимо этого, SF3 предложит 21% уменьшение площади готового кристалла, значительно увеличивая плотность транзисторов. Правда, компания предпочитает не говорить о том, что именно будет уменьшаться: логика или SRAM. Также Samsung поделилась проблемой при использовании GAAFET, которая подразумевает повреждение верхней части нанолиста. Вероятно, она существенно влияет на количество годной продукции.