1. MN NEWS
2. Технологии
3. SK hynix начала поставлять клиентам образцы 12-слойной памяти HBM3 объемом 24 Гбайта

Сегодня у SK hynix праздник, ведь компания торжественно сообщила о начале поставок микросхем памяти HBM3, насчитывающих 12 слоев DRAM и предлагающих емкость 24 Гбайта – это самый большой объем в отрасли на сегодняшний день.

Увеличить объем микросхем на 50% удалось при помощи технологий Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), улучшающей эффективность производства и стабильность работы, и Through Silicon Via (TSV), позволившей уменьшить толщину одного слоя DRAM на 40%. Таким образом, новая память предлагает больший объем при идентичной высоте стека.

Уже сейчас компания начала поставлять своим партнерам новые микросхемы памяти HBM3 с 12-слоями и объемом 24 Гбайта. Подготовка к массовому производству должна закончиться в первой половине текущего года, в то время как полноценное производство начнется во втором полугодии.

«Компании удалось разработать продукт емкостью 24 Гбайта, в котором емкость памяти увеличилась на 50% по сравнению с предыдущим поколением HBM3. Мы сможем поставлять новые продукты на рынок со второй половины года в соответствии с растущим спросом на продукты памяти премиум-класса, обусловленным индустрией чат-ботов на базе искусственного интеллекта».