1. MN NEWS
2. Технологии
3. Sk hynix показала оперативную память LPDDR5T-9600

Южнокорейский производитель микросхем в лице SK hynix продолжает показывать новую продукцию для удержания лидерства на рынке памяти. На этот раз компания показала оперативную память LPDDR5T, способную работать с очень высокой скоростью.

Приписка “T” в наименовании указывает на Turbo, так как память такого типа может работать со скоростью 9600 MT/s, что на 13% быстрее памяти прошлого поколения LPDDR5x-8500. Также она может предложить работу в диапазоне напряжений от 1.01 до 1.12 В, снижая энергопотребление и увеличивая время автономной работы устройств с аккумулятором.

Улучшений в плане скорости работы и энергосбережения удалось достичь за счет использования 10-нм технологического процесса 1α (1-афльфа) и HKMG (High-K Metal Gate). Сейчас компания занимается отправкой партнерам образцов новой памяти, причем в виде многочипового пакета объемом 16 Гбайт, способных обрабатывать 77 Гбайт данных за секунду. Массовое производство ожидается во второй половине этого года.

«SK hynix довела технологию до новых пределов всего за два месяца после того, как LPDDR5X, мобильная DRAM со спецификацией 8500 MT/s, была представлена ​​на рынке в ноябре 2022 года. Мы укрепим свое лидерство на рынке мобильной памяти DRAM, предоставив продукты с LPDDR5T, предлагающие различную емкость и отвечающие потребностям клиентов».