Технологии22.11.2022 в 17:14ПрослушатьОстановить
Этим летом Samsung объявила о начале массового производства по самому передовому 3-нм технологическому процессу, основанному на транзисторах нового поколения GAAFET. Пока компания использует его только для удовлетворения нужд майнеров, но в скором будущем начнет производить и другую продукцию. Правда, этому может помешать маленькое количество годной продукции.
Если верить ресурсу Commercial Times, у Samsung все очень плохо с выходом годной продукции, созданной по 3-нм техпроцессу. Сообщается, что его доходность составляет лишь 20%, что является слишком маленьким показателем для массового производства. Виновником, как предполагается, является электростатический разряд, повреждающий кремниевые пластины.
Для решения этой проблемы компания якобы обратилась к американской Silicon Frontline Technology, которая использовала свои наработки для повышения выхода годной продукции при помощи технологий очистки воды и предотвращения электростатического разряда. Второе как раз необходимо Samsung для решения проблемы, причем, как сообщается, улучшение уже было отмечено, но более полноценно отметить полезность получится лишь на определенной временной дистанции.
Источник: i2HARD
ТехнологииСегодня в 11:42Читать новость
ТехнологииВчера в 16:42Читать новость
ТехнологииВчера в 13:42Читать новость
ТехнологииВчера в 10:56Читать новость
Технологии27.11.2023 в 18:42Читать новость
Технологии27.11.2023 в 17:42Читать новость
Технологии27.11.2023 в 16:28Читать новость
Технологии27.11.2023 в 14:14Читать новость
Технологии27.11.2023 в 12:14Читать новость
Технологии26.11.2023 в 14:42Читать новость
Технологии26.11.2023 в 11:14Читать новость
Технологии25.11.2023 в 17:14Читать новость
Технологии25.11.2023 в 14:28Читать новость
Технологии25.11.2023 в 10:14Читать новость
Технологии24.11.2023 в 14:56Читать новость
Технологии24.11.2023 в 12:14Читать новость
Технологии24.11.2023 в 10:14Читать новость
Технологии23.11.2023 в 20:28Читать новость
Технологии23.11.2023 в 19:14Читать новость
Технологии23.11.2023 в 18:14Читать новость